به گزارش جام جم انلاین به نقل از آی تی رسان ، تراشههای 2 نانومتری دربردارنده تحولی انقلابی نسبت به انواع 3 نانومتری بوده و احتمالا تا پایان سال 2022 در دستگاههای مصرفی بهکار گرفته خواهند شد.
TSMC پیشتر با هدف گسترش مرکز تحقیق و توسعه خود اقدام به خریداری زمینی در منطقه Hsinchu نمود. این خبر از سوی YP Chin؛ معاون ارشد کمپانی تایوانی موردتائید قرار گرفت. تراشههای 2 نانومتری در عوض بهکارگیری فناوری FinFET مورد استفاده توسط تراشههای 3 نانومتری بر پایه تکنولوژی Gate-All-Around) GAA) توسعه خواهند یافت. عملیاتی شدن فناوری جدید GAA به منزله جهشی چشمگیر و دستاوردی بزرگ در حوزه فرآیندهای تولید نیمههادیها بهشمار میرود.
سامسونگ؛ اصلیترین رقیب کمپانی TSMC پیشتر از تصمیم خود مبنی بر بهکارگیری فناوری GAA در فرآیند تولید تراشههای 3 نانومتری تا سال 2022 خبر داد. حضور یک بازیگر دیگر در میدان رقابت یقینا مفید خواهد بود. چنین پدیدهای به تولیدکنندگان امکان خواهد داد تا به تلاشهای بیوقفه خود ادامه داده و قیمت تراشههای تولیدی برای سازندگان اسمارتفون را در سطح نسبتا پایینی حفظ نمایند.
در گفتوگو با جام جم آنلاین مطرح شد
در گفتوگو با جام جم آنلاین مطرح شد
در گفتوگو با جام جم آنلاین مطرح شد
در گفتوگو با جام جم آنلاین مطرح شد
رئیس کمیسیون امنیت ملی مجلس در گفتوگو با جام جم آنلاین:
در گفتوگو با جام جم آنلاین مطرح شد
در گفتوگوی «جامجم» با عضو هیات علمی دانشگاه علامه طباطبایی مطرح شد
گفتوگو با نوید دهقان به بهانه برگزاری کنسرت گروه «قمر» در تالار وحدت