طراحی نانوحافظه هایی با سرعت هزار برابر حافظه های رایج
دانشمندان دانشگاه پنسیلوانیا در آمریکا ، «نانو حافظهای» تولید کردهاند که قابلیت ذخیرهسازی اطلاعات را برای هزار سال دارد.
کد خبر: ۱۵۷۰۲۲
به گزارش یرنا ، قدرت بازیافت این قبیل حافظهها نسبت به حافظههای رایج هزار برابر سریعتر است.
در این گزارش آمده است: این قبیل حافظهها نسبت به فناوریهای رایج مربوط به حافظههای رایانهای دارای توان مصرفی پایین و فضای کم جهت ذخیرهسازی اطلاعات هستند.
"ریتش آگاروال" استادیار دانشکده مهندسی مواد دانشگاه پنسیلوانیا در آمریکا، نانوحافظههای خودآرای ژرمانیم - آنتیموان - تلورید را تولید کردند که این مواد میتواند تغییر فاز داده و بین ساختارهای کریستالی و آمورف سوییچ شود.
بر اساس این گزارش، این تغییر فاز به عنوان کلید نوشتن و خواندن اطلاعات رایانهای ست.
"آگاروال" گفت: نتایج اندازهگیری روی نانوحافظتهها را برای مقادیر جریانی حالت نوشتن حافظه بررسی کرده است.
بررسی این استاد دانشگاه نشان داد که "سرعت نوشتن اطلاعات، پاک کردن و قدرت بازیابی اطلاعات نسبت به حافظههای معمولی موجود در بازار هزار برابر سریعتر صورت میگیرد".
این نوع حافظههای جدید پتانسیل ایجاد انقلابی در روشهای سهمبندی، انتقال و حتی دانلود ( (Downloadکردن سرگرمی برای مصرفکنندگان را دارد.
فناوریهای حالت جامد موجود برای تولید کارتهای حافظه در دوربینهای دیجیتال و نگهدارنده اطلاعات شخصی به طور موسوم از حافظههای فلش یا یک حافظه رایانهای غیر فرار و با دوام که میتواند به طور الکتریمی پاک و برنامهریزی شود، استفاده میکنند.
نتایج این تحقیق در مجله " "Nature Nanotechnologyمنتشر شده است.