شرکت سامسونگ از عرضه نسل سوم حافظه‌های رم اچ بی ام خود با ظرفیت ۱۶ گیگابایت موسوم به فلش بلت خبر داده است.
به گزارش جام جم آنلاین از مهر، سرعت انتقال داده‌ها از طریق این حافظه‌های رم ۱۶ گیگابایتی برابر با ۳.۲ گیگابیت در ثانیه است.
استفاده از رم‌های اچ بی ام باعث ارتقای عملکرد حافظه رایانه‌ها شده و به شرکت‌های سازنده رایانه کمک می‌کند تا ابررایانه‌های قدرتمندتری بسازند. افزایش سرعت تحلیل داده‌ها در برنامه‌های هوش مصنوعی و بهتر کردن سرعت برنامه‌های گرافیکی و تدوین ویدئو از جمله مزایای استفاده از رم‌های مذکور است.
در رم‌های یادشده از ۸ لایه دی رم ۱۰ نانومتری برای افزایش سرعت استفاده شده است و از همین رو عملکرد حافظه مذکور در مقایسه با بهترین رم‌های موجود در بازار ۱.۳ برابر بهتر است. البته در محیط‌های آزمایشگاهی سرعت انتقال داده با استفاده از این رم به ۴.۲ گیگابیت در ثانیه نیز رسیده است. اما هنوز در عمل چنین رمی وارد بازار نشده است.
قرار است تولید انبوه فلش بلت برای عرضه در بازار از نیمه اول سال جاری میلادی آغاز شود. قیمت این محصول هنوز مشخص نشده است.
