نانوحافظه مغناطیسی ساخته شد

به گزارش ایرنا ، مجید فرهمندجو مجری این طرح پژوهشی گفت: با این فناوری می‌توان مشکل بسیاری از صنایع از جمله صنعت الکترونیک، به خصوص ساخت هارد دیسک‌های مغناطیسی را حل کود.

وی افزود:ساخت نانوذرات مغناطیسی با سنتز شیمیایی و بالا بردن سختی مغناطیسی آنها با عملیات گرمایی می‌تواند منشا وادارندگی بالا در نانوذرات FePt پس از انجام عملیات گرمایی شده و ناهمسانگردی مغناطوبلوری شدید را ایجاد نماید.

به نوشته این گزارش ، نانو ذرات مغناطیسی ، امکان رفتار مغناطیسی موضعی و مستقل در یک محیط دو بعدی تحت تاثیر میدان متغیر را فراهم می‌نمایند.

امتیاز این محیط ‌ها نسبت به چند لایه‌ای‌ها ، تک‌اندازه بودن نانوذرات و حذف برهمکنش تبادلی در فاصله بین آنهاست و این خواص از لحاظ کاربرد در حافظه‌ها ، منجر به افزایش پایداری ذرات می‌شود.

افزایش ظرفیت بواسطه نانومتری بودن دانه‌ها ، ایجاد می‌شود. ولی این امر موجب قرار گرفتن ماده در فاز ابرپارامغناطیس شده که در آن، پس از قطع میدان، جهت‌گیری مغناطیس نانوذرات ناپایدار ایجاد می‌گردد. رفع این محدودیت به ناهمسانگردی مغناطیسی شدید نیازمند است.

جزئیات این پژوهش که با همکاری دکتر سید علی سبط  انجام شده ، در مجله CHINESE JOURNAL OF PHYSICS (جلد 47 ، صفحات546 - 540 ، سال 2009) منتشر شده است.