محققان نانوفناوری موفق به تولید حافظه هشت گیگابیتی بر روی یک تراشه شدند

دو شرکت بزرگ تولید تراشه از تولید یک تراشه حافظه کوچک NAND هشت گیگابیتی مبتنی بر فناوری 70 نانومتری خبر دادند.
کد خبر: ۶۱۷۳۸

به گزارش ایسنا ، این فناوری میتواند یک گیگابایت اطلاعات را در یک تراشه واحد ذخیره کند.
تولید این تراشه جدید در کنفرانس بینالمللی مدارهای حالت جامد (ISSCC)اعلام شد.
براساس یک فرایند 90 نانومتری ، حافظه جدید از فناوری سل چند سطحی استفاده می کند که با استفاده از آن میتوان دو بیت از اطلاعات را در یک سلول حافظه واحد ذخیره کرد.
این تراشه هشت گیگابیتی در 146 میلیمتر مربع دانسیته سطحی معادل 6 میلیون بیت یا سه میلیارد ترانزیستور در سانتیمتر مربع دارد.
عملکرد این حافظه با استفاده از تکنیک مدارهای نوشتن سریع که بنا بر گفته این شرکتها زمان نوشتن اطلاعات را کاهش داده و سرعت نوشتن را تا شش مگابایت بر ثانیه افزایش میدهد ، بهبود مییابد.
سرعت خواندن شصت مگابایت بر ثانیه است که 40 درصد بیشتر از حافظههای نسل قبلی است.
شرکتهای Toshiba و SanDisk در حال برنامهربزی برای تولید این محصول در تابستان امسال هستند.
آنها همچنین در حال برنامهریزی برای تجاریسازی یک IC حافظه کوچک NAND شانزده گیگابیتی هستند که در آن دو حافظه کوچک NAND هشت گیگابیتی درون یک بسته واحد قرار دارد.

newsQrCode
ارسال نظرات در انتظار بررسی: ۰ انتشار یافته: ۰

نیازمندی ها