این در حالی است که شرکتهای تولیدکننده حافظه جدید اعلام کردهاند که سرعت خواندن و نوشتن تراشه جدید آنها به ترتیب برابر 200 و 100 مگابایت در ثانیه است که سرعت فوقالعاده برای این نوع حافظهها به شمار میرود. پیش از این شرکت سامسونگ نیز تراشه مشابهی را با فناوری 60 نانومتری معرفی کرده بود که اینتل وMicron ، با محصول جدید خود گوی سبقت را از او ربود.
به گفته یکی از تحلیلگران، با این که حافظههای فلش در رایانههای شخصی کاربرد دارند و میتوانند در آینده جایگزین دیسکهای سخت شوند، اما در حال حاضر بخش عمده بازار این حافظهها، به سمت دیگر تجهیزات الکترونیک و دستگاههای همراه متمایل است. البته تا جایگزین شدن حافظههای فلش به جای دیسکهای سخت، فاصله زیادی وجود دارد. اما ساخت اینگونه تراشهها، باعث افزایش حجم درایوهای فلش و نیز کاهش سطح قیمت این محصولات خواهد شد.
حافظههای جدید به علت استفاده از سیلیکون برای ذخیره دادهها، از نظر دستیابی و نقل و انتقال اطلاعات بهبود یافتهاند. دستیابی به سرعتی 5 برابر سرعت حافظههای فعلی براساس استاندارد 2 ONFI ، راه را برای ساخت تجهیزات جدید و بهرهگیری واسطهای پر بازده آینده از قبیل 0/USB3 هموارتر خواهد کرد. 0/USB3 که در آینده نزدیک، استاندارد خواهد شد، برای در اختیار قراردادن سرعتی 10برابر 0/USB2،به تراشههایی نیازمند است که از نظر کارایی، بهتر از تراشههای فعلی باشند. 0/USB3 واسطی پرسرعت خواهد بود که امکان نقل و انتقال اطلاعات را با سرعتی برابر 8/4گیگابیت در ثانیه برای کاربران فراهم میسازد.شرکت اینتل بزرگترین تولید کننده تراشه و پردازنده در جهان و شرکتMicron یکی از بزرگترین تولیدکنندگان حافظههایNAND ،DRAM و حسگرهای تصویریCMOS و دیگر تجهیزات الکترونیکی نیمههادی در جهان است. در شرکتی که برای تولید این گونه تراشهها راهاندازی شده است، 51 درصد سهم در اختیارMicron و 49 درصد متعلق به اینتل است.