IBM سریعترین ترانزیستور سیلیکونی جهان را ساخت

شرکت IBM اعلام کرد: ترانزیستوری (سوئیچ الکترونیکی) از جنس سیلیکون ساخته که می تواند سرعتی معادل 350میلیون دور

کد خبر: ۱۶۴۲۵

در ثانیه یعنی 3برابر سرعت کنونی ترانزیستورها را به معرض نمایش بگذارد. این ترانزیستور به گفته شرکت مذکور می تواند در ساخت میکرو تراشه ها مورد استفاده قرار بگیرد تا بتواند سرعت انتقال دیتا روی شبکه های بی سیم را بالا ببرد. معمولا ترکیبی از هزاران ترانزیستور برای ساخت میکروتراشه های بکار می رود که سرانجام در ابزارهایی مانند تلفن همراه و رایانه کاربرد فراوان می یابد. ویژگی ترانزیستورهای جدید این است که آنها با سیلیکون های ژرمانیوم ساخته شده اند که آن نیز از ترکیب 2ماده خلق می شود: سیلیکون که قسمت اعظم نیمه هادیها را تشکیل می دهد و نیز ژرمانیوم که ماده ای شبیه سیلیکون است و به عنوان عنصر شبه فلز در ترکیبات خاص بکار گرفته می شود. اصل بر این است که ترکیب ژرمانیوم و سیلیکون در لایه های مختلف سرعت انتقال را بالا می برد و به همین دلیل در ساخت ترانزیستورها از آن استفاده می شود. این ترانزیستورها موسوم به Sige هستند و به عنوان مدارهایی با بسامد و فرکانس بالا روی ابزاری نظیر تلفن همراه یا سوئیچ کننده های نوری و دیگر ابزار الکترونیکی سوار می شود. آی . بی . ام معتقد است که می توان این ترانزیستورها را روی تراشه هایی با سرعت 150گیگاهرتز یعنی 150میلیون دور در ثانیه اجرا و سرعت آنها را 3برابر کرد. 2فاکتور مهم در این زمینه ؛ استفاده از قدرت کمتر و هزینه کمتر در ساخت اینگونه ترانزیستورهاست که قطعا در قیمت نهایی میکروتراشه ها تاثیر گذاشته و قیمت آنها را کاهش می دهد. در حال حاضر سرعت روی میکروتراشه ها حدود 50گیگاهرتز است . به گفته بیژن داوری قائم مقام گروه میکروالکترونیک در IBM در نتیجه سرعت کابل های اترنت براحتی از 10گیگابیت در ثانیه به 40گیگا بیت افزایش می یابد. به عقیده بیژن وقتی که می خواهید سرعت اترنت خود، روی شبکه را از 40به 80یا 150برسانید، می توانید از این فناوری استفاده کنید. آی . بی . ام قرار است بزودی در 9دسامبر در میتینگ ابزارهای الکترون در سانفرانسیسکو این موضوع را کاملا توضیح دهد.