در تپش این هفته، ماجرای فریب و تعرض در پوشش عرفانهای دروغین و رمالی را بررسی کردیم
مشاجره لفظی بزرگترین اشکال OLEDها، کاهش فوتون و کم شدن میزان برانگیختگی در آنهاست که یک اشکال ساختاری به شمار میآید.
از آنجایی که OLEDها ساختارهایشان مبتنی بر ترانزیستور است، محققان امیدوارند مشکلات موجود در OLEDها برطرف کنند. برای حل مشکل کاهش برانگیختگی، محققان لایه نشرکننده را از الکترود دور کردند، اما این کار بازده را فقط به 6/0 درصد رساند.
محققان موسسه مواد نانوساختار بلوگنا در ایتالیا و شرکت پلیرا در آمریکا، روی توسعهOLEDها کار میکنند. آنها توانستهاند OLEDهایی طراحی کنند که نهتنها کاهش فوتون را کم میکند، بلکه کاهش برانگیختگی را نیز کم میکند. OLETهای جدید بازده 5 درصدی دارند؛ این در حالی است که OLEDها بازده 01/0 درصدی داشته که در صورت استفاده از لایههای نشری مشابه OLEDها این راندمان به 2/ 2 درصد میرسد.
محققان، OLED جدید خود را OLED اثر میدان سهلایه نامیدهاند؛ زیرا دارای سه لایه نیمههادی آلی است: لایه بالایی حاوی کانال p به ضخامت 15 نانومتر است که حفرهها را انتقال میدهد؛ لایه زیرین حاوی کانال n به ضخامت 7 نانومتر است که موجب انتقال الکترون میشود و لایه میانی نیز محل انتقال الکترون و حفره است. این سه لایه درون سه لایه دیگر اکسید قلع ایندینیوم، PMMA و الکترودهای طلا قرار دارند.
این طراحی مزایای متعددی دارد:
اول این که محل تولید و نشر نور به اندازه کافی از محل الکترودها دور است؛ بنابراین از دست رفتن الکترونها اتفاق نمیافتد.
دوم این که محل نشر نور از محل جریان الکترون جداست؛ بنابراین از کاهش برانگیختگی کاسته میشود و به این منظور اینOLEDها را LETهای بدون تماس نامیدهاند.
سوم امیدواری دانشمندان در بالا رفتن بازده این OLEDهاست که با انجام برخی از تنظیمات نظیر کاهش ولتاژ کار و تنظیم اجزای ساختاری آن محقق میشود.
منبع: physorg
در تپش این هفته، ماجرای فریب و تعرض در پوشش عرفانهای دروغین و رمالی را بررسی کردیم
گزارش «جامجم» درباره دستاوردهای زبان فارسی در گفتوگو با برخی از چهرههای ادب معاصر
معاون وزیر بهداشت: