اهمیت انشعاب فرعی در ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی
جامجم آنلاین: دانشمندان مدتهاست نسبت به خواص الکتریکی نانوتیوبهای کربنی، این رشتههای کوچک کربن خالص که عرض آنها کمتر از یک تار موی انسان است، کنجکاو شدهاند.
به گزارش ساینتیفیک امریکن اکنون یک گروه تحقیقاتی طراحی جدیدی برای این تراتزیستورها در نظر گرفته است که براساس لولههای بسیار ریز است و میتواند به میزان قابل ملاحظهای محدودیت اندازه ترانزیستور را پایین آورد.
اندازه قراردادی ترانزیستورهای ساخته شده از نیمه رساناهای اکسیدفلزی (MOS) طی سالها کاهش یافته و اکنون میتواند به کوچکی 100 نانومتر عرض باشد. کاهش فوق این امکان را فراهم کرده است که یک افزایش شگفتانگیز هم در سرعت و هم در قدرت تنوعی از ابزار الکترونیکی صورت گیرد. یک گروه تحقیقاتی از دانشگاه کالیفرنیا با استفاده از ریزلولههای کربنی (نانوتیوبها) امید آن دارد که ابعاد ترانزیستور راحتی بیش از این کاهش دهد تا ضخامت آن به چند نانومتر برسد. اندازه کوچک و عملکرد متغیر بیش از اندازه این نانوتیوبها آنها را گزینه مناسبی برای گروه جدیدی از ترانزیستورها کرده است.
این ترانزیستورهای جدید ابتدا به صورت نانوتیوبهای مستقیم و منظم ساخته شدند. سپس با استفاده از ذرات کاتالیستی حاوی آهن، یک انشعاب دیگر به آن اضافه شد.
نانوتیوبهای به شکلy حاصل زمانی که به رساناهای الکتریکی وصل میشوند جریان را حمل میکنند و با تغییر میزان ولتاژ به کار رفته برای قسمت اصلی (پایه) جریان الکترونها را از طریق اتصال کنترل میکند. این مدل جدید بر ترانزیستورهای نانوتیوبی کربنی گذشته که در آن اجزا جداگانه باید افزوده میشدند، ارجحیت دارد.
سرپرست این تحقیق میگوید به این ترتیب میتوانیم نمونه کاربردی را در مقیاس نانو سنتز کنیم و مجبور نخواهیم شد بخشهای مختلف مدار را جداگانه ساخته و سپس آنها را روی هم سوار کنیم.
تازه ها
گوناگون
پیشنهاد سردبیر
در تپش این هفته، ماجرای فریب و تعرض در پوشش عرفانهای دروغین و رمالی را بررسی کردیم
پشت پرده اتاقهای دود و طلسـم
