ابزارهای الکترونیکی سریع‌تر می‌شوند

معماری دستگاه‌های الکترونیکی سریع‌تر در آینده نزدیک با پرده‌برداری از اولین ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) کاملا دوبعدی که از سوی محققان آزمایشگاه ملی لارنس برکلی ساخته شده، عملی خواهد شد.
کد خبر: ۶۹۲۲۴۸

این ترانزیستورهای جدید دوبعدی برخلاف ترانزیستورهای اثر میدان معمولی که از سیلیکون ساخته شده‌اند در ولتاژ‌های بالا کارایی خود را از دست نمی دهند و حتی زمانی که ضخامت آنها به اندازه یک تک لایه کوچک می‌شود تحرک بالای الکترون را تامین می‌کنند. علی جاوی، دانشمند علم مواد آزمایشگاه برکلی و استاد دانشکده مهندسی برق و علوم کامپیوتر رهبری این تحقیقات را به عهده داشته است. او می‌گوید: کار ما نشان‌دهنده ایجاد یک سنگ بنای مهم در جهت ایجاد کلاس جدیدی از دستگاه‌های الکترونیکی است که رابط‌های به کار گرفته در آن به جای استفاده از پیوند کوالانسی براساس فعل و انفعالات واندروالسی ایجاد شده و همین موضوع باعث کنترل بی‌سابقه ترکیبات در مهندسی مواد و اکتشاف ابزارهای جدید شده است. ترانزیستورها به دلیل این که سیگنال الکترونی ارسال شده از طریق یک الکترود را به جریان الکتریکی تبدیل می‌کنند یکی از ارکان صنعت الکترونیک محسوب می‌شوند و در همه جا اعم از کامپیوترها، تلفن‌‌های همراه، تبلت‌ها، نوت‌بوک‌ها و تقریبا تمام دستگاه‌های الکترونیکی به طور گسترده‌ای به کار می‌روند.

منبع :​ phys.org

newsQrCode
ارسال نظرات در انتظار بررسی: ۰ انتشار یافته: ۰

نیازمندی ها