این ترانزیستورهای جدید دوبعدی برخلاف ترانزیستورهای اثر میدان معمولی که از سیلیکون ساخته شدهاند در ولتاژهای بالا کارایی خود را از دست نمی دهند و حتی زمانی که ضخامت آنها به اندازه یک تک لایه کوچک میشود تحرک بالای الکترون را تامین میکنند. علی جاوی، دانشمند علم مواد آزمایشگاه برکلی و استاد دانشکده مهندسی برق و علوم کامپیوتر رهبری این تحقیقات را به عهده داشته است. او میگوید: کار ما نشاندهنده ایجاد یک سنگ بنای مهم در جهت ایجاد کلاس جدیدی از دستگاههای الکترونیکی است که رابطهای به کار گرفته در آن به جای استفاده از پیوند کوالانسی براساس فعل و انفعالات واندروالسی ایجاد شده و همین موضوع باعث کنترل بیسابقه ترکیبات در مهندسی مواد و اکتشاف ابزارهای جدید شده است. ترانزیستورها به دلیل این که سیگنال الکترونی ارسال شده از طریق یک الکترود را به جریان الکتریکی تبدیل میکنند یکی از ارکان صنعت الکترونیک محسوب میشوند و در همه جا اعم از کامپیوترها، تلفنهای همراه، تبلتها، نوتبوکها و تقریبا تمام دستگاههای الکترونیکی به طور گستردهای به کار میروند.
منبع : phys.org
آخرین تمرینهای تیم ملی فوتبال در سایه حمایت فوقالعاده مردم مکزیک
حسین کعبی: وقتی فیگو را در جام جهانی زدم....