سال 2007، سال ترانزیستورهای جدید

اینتل تا سال 2007 نسل جدیدی از ترانزیستورهای کم مصرف و سریعتر در ساخت تراشه ها طراحی می کند.کن دیوید ، مدیر مرکز تحقیقات و فناوری اینتل در این باره گفت

کد خبر: ۳۱۷۵۲

: هدف ساخت ترانزیستورهای جدید با فناوری موسوم به breakthrough است تا مشکلات فعلی را به دلیل مصرف زیاده از حد نیرو و وجود گرمای زیاد در ترانزیستورهای موجود حل کند. رقبای اینتل نیز با همین مشکل در ساخت ترانزیستور روبه رو هستند و دنبال راههای مناسب برای دسترسی به ترانزیستورهای کم مصرف با کاهش حرارت و گرمای مرکزی می گردند. به گفته کن دیوید ، فناوری جدید باید قادر به تولید ترانزیستورهای کوچکتر و سریعتر برای نسل بعدی تراشه های اینتل مبتنی بر قوانین مور باشد. (طبق قانون گوردون مور، موسس اینتل هر 2سال یک بار باید تعداد ترانزیستورهای جاسازی شده روی سیلیکون یا نقره دو برابر شود.) این جمله را مور در سال 1965 گفت و از سال 1971 با پردازنده های 4004 اینتل آن را محقق ساخت . در آن زمان تعداد ترانزیستورها 2هزار و 300بود؛ اما اینک تعداد ترانزیستورهای به کار رفته در پنتیوم 4معادل 55میلیون ترانزیستور است . یک ترانزیستور، به عنوان سوئیچ ساده ای است که به یک جریان معمول الکتریکی اجازه می دهد تا از سرچشمه به سایر مسیرها برود. در این میان دروازه الکترودها، جریان الکتریسیته را از طریق یک عایق کنترل می کنند و وقتی ولتاژ قوی برق وجود داشته باشد، ترانزیستورهای NMOS در جریانند و وقتی که ولتاژ کم شود، ترانزیستورهای PMOS نقش اصلی را بازی می کنند. به مرور زمان ترانزیستورها ، ارزان تر، کوچکتر و سریعتر شده اند و در نتیجه عایقهای ساخته شده از موادی مانند دی اکسید سیلیکون کوچکتر و نازکتر به اندازه کمتر از چند ملکول شده است . اما مشکل از آنجا ناشی می شود که مصرف ترانزیستورها بالاست و گرمای بیشتری نیز در محیط می سازند و دقیقا گرما و مصرف نیروی زیاد 2مشکلی است که مانع از ساخت ترانزیستورهای سریعتر به وسیله اینتل شده است . به گفته کن دیوید، مراکز دانشگاهی 15سال است روی این موضوع کار می کنند و تیم اینتل پس از 5سال توانست با فناوری breakthrough تقریبا آن را حل کند و اگر برنامه ها درست پیش رود، نمونه اولیه آن در سال 2007 وارد صنعت ساخت تراشه های اینتل می شود. البته در این مسیر ، اینتل از ماده ای غیر از دی اکسید سیلیکون بهره می گیرد ؛ اما به دلایل کاملا سری از فاش کردن این ماده خودداری می کند. به وسیله این ماده 60درصد ظرفیت خازنی روی ترانزیستور افزایش می یابد، بدون آن که مصرف نیرو و شدت گرما آن را مورد هجوم قرار دهد. اما به گفته کن دیوید، موارد جدید با الکترودهای پلی کریستالین سیلیکون خوب کار نمی کند و برای این کار تیم اینتل در حال آزمایش روی فلزی خاص است که ترانزیستورهای NMOS و PMOS را جواب دهد.