توسعه نسلی از حافظه های فلاش جاودانه
دانشمندان ژاپنی موفق به توسعه گروهی از حافظه های فلاش شد که تقریبا هرگز خراب نمی شوند و می توانند در دوره زمانی طولانی تری نسبت به مدلهای فعلی قابل استفاده باشند.
به گزارش خبرگزاری مهر، محققان موسسه ملی علوم صنعتی پیشرفته و فناوری دانشگاه توکیو به فناوری ساخت نوعی حافظه فلاش دست یافتند که خراب نمی شوند و با کاهش ابعاد آنها نسبت به مدلهای فعلی، گنجایش ذخیره اطلاعات را به شدت افزایش می دهند.
اولین مزیت این نوع از حافظه های فلاش فروالکتریکی مدت زمان عملکرد آنها است. به طوری که برخلاف حافظه هایی که امروز در بازار وجود دارند و در هر سلول خود و قبل از ازدست دادن بهره وری در حدود 10 هزار مرتبه رونویسی شوند این حافظه های جدید می توانند 100 میلیون مرتبه بازنویسی شوند. این میزان، طول عمر حافظه را به 100 سال افزایش می دهد و در حقیقت این ابزارها را جاودانه می کند. در حالی که عمر حافظه های فلاش فعلی تنها 10 سال است.
براساس گزارش macitynet، دانشمندان ژاپنی برای رسیدن به این هدف، سیستم ویژه ای را توسعه دادند که خواندن و نوشتن روی حافظه را به روشی هوشمند از نو توزیع می کند و استفاده از سلولهای خراب شده را بدون مسدود کردن عملکرد داخلی حافظه حذف می کند.
به خاطر این مقاومت ویژه، ابعاد حافظه های فروالکتریکی می توانند تنها به 10 نانومتر برسند درحالی که اندازه حافظه های سنتی در بهترین شرایط به حدود 20 نانومتر کاهش می یابد.
همچنین حافظه های ساخت محققان دانشگاه توکیو در حدود سه برابر کمتر از حافظه های فعلی انرژی مصرف می کنند.
